講演情報
[17a-W8E_101-2]InP系HBT適用に向けたHI,Cl2ドーズガスを用いたInGaPのArプラズマ原子層エッチングにおけるエッチング諸特性評価
〇新井 崇平1、白鳥 悠太1、星 拓也1、尾崎 史朗1、中島 史人1 (1.NTT)
キーワード：
InP、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ、原子層エッチング
高周波向けInP系HBTの高速化にはエミッタ幅を基準とした微細化が必須だが、従来のウエットエッチングでは形状制御に課題がある。そこで本研究では代替手法の検討として、エミッタを想定したInGaPに対しArプラズマを使用した原子層エッチングを実施、Etch per cycleや表面形態等の特性を評価したため報告する。