[17a-W8E_101-1~11] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

9:45 〜 10:00

[17a-W8E_101-4] f_MAX>120 GHzのダイヤモンドMOSFETのバイアス電圧依存性

サハ ニロイ　チャンドラ¹、江口 正徳²、大石 敏之¹、冨木 淳史³、〇嘉数 誠^1,4 (1.佐賀大ダイヤモンド半導体研究センター、2.佐賀大シンクロトロン、3.JAXA宇宙研、4.（株）ダイヤモンドセミコンダクター)

キーワード：

ダイヤモンド、パワーデバイス

電力利得遮断周波数(f_MAX)で>120 GHzを示すダイヤモンドMOSFETを作製し、高周波小信号特性のバイアス電圧依存性を測定し、ダイヤモンド特有の特性が得られたので報告する。