[17a-W8E_101-1~11] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

10:00 〜 10:15奨励賞エントリー

[17a-W8E_101-5] 6.8 WダイヤモンドMOSFET（ゲート幅7.2 mm）の作製

〇(M1C)橋本 悠¹、サハ ニロイ　チャンドラ¹、江口 正徳²、嘉数 誠^1,3 (1.佐賀大ダイヤモンド半導体研究センター、2.佐賀大シンクロトロン、3.（株）ダイヤモンドセミコンダクター)

キーワード：

ダイヤモンド半導体

ダイヤモンドは，5.47 eVのバンドギャップや高絶縁破壊電界強度，高移動度を有するため，次世代パワー半導体材料として期待されている。しかし，ダイヤモンドでは高耐圧化に対し，大電流化を実現することが難しい。そこで，本研究ではダイヤモンドMOSFETの更なる大電流化・大電力化を目指し，長いゲート幅（W_G = 7.2 mm）を有するダイヤモンドMOSFETの作製を行ったので報告する。