講演情報

[17a-W8E_101-6]樹脂封止をしたダイヤモンドMOSFETの192時間DC連続動作

〇(M1)牟田 吉希1、ニロイ チャンドラ サハ1、江口 正徳2、大石 敏之1、冨木 淳史3、嘉数 誠1,4 (1.佐賀大ダイヤモンド半導体研究センター、2.佐賀大シンクロトロン、3.JAXA宇宙科学研究所、4.(株)ダイヤモンドセミコンダクター)

キーワード:

ダイヤモンド

ダイヤモンドは,5.47 eVのバンドギャップを有する半導体で,大電力及び高周波用の次世代パワー半導体として期待されている.ダイヤモンド半導体の実用化には,連続動作時における高い耐久性と動作安定性の確立が不可欠である. 我々は今回,大気によるFET表面への影響を排除するために,樹脂封止をしたダイヤモンドMOSFETで,初めて連続動作試験を行ったので報告する.