[17a-W8E_307-1~10] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

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[17a-W8E_307-1] [第59回講演奨励賞受賞記念講演] ドロップレットエッチングを用いた99%の垂直収率とロット間再現性を有するSiO_x/Si(111)ウエハ上GaAsナノワイヤの大面積成長

〇峰久 恵輔¹、佐野 真浩¹、後藤 拓翔¹、中間 海音¹、石川 史太郎¹ (1.北大量集セ)

キーワード：

ナノワイヤ、III–V族化合物半導体、分子線エピタキシー

Gaドロップレットエッチング(DE)に基づく分子線エピタキシー法を用い、2インチSiO_x/Si(111)ウエハ上に高密度(>10⁸ cm^-2)、且つ99%以上の垂直収率を有するGaAsナノワイヤ(NW)を自己触媒成長させる手法を報告する。DE中のGa照射時間のみを変化させることで、垂直NWの数密度を2桁(low-10⁷ ~ high-10⁸ cm^-2)の範囲で調整可能である。また、本研究では他の成長パラメータを変更することなくGa照射時間のみを調整することで、異なるロット基板間においても再現性の高いNW成長が可能な較正プロトコルを確立した。