[17a-W8E_307-1~10] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

11:45 〜 12:00

[17a-W8E_307-10] 液滴エピタキシー法による(111)A面上の低密度・高対称InAs量子ドットの自己形成

〇間野 高明¹、大竹 晃浩¹、Kulesh Nikita¹、Bolyachikin Anton¹、門平 卓也¹、林 侑介¹、黒田 隆¹ (1.NIMS)

キーワード：

量子ドット、液滴エピタキシー、InAs

我々は光通信波長帯の量子もつれ光子対実現を目的として、液滴エピタキシー法による(111)A面上のInAs量子ドットの自己形成に取り組み、これまでに、1.5ミクロン帯の単一光子発生を実証している。しかし、単一ドットからの発光を顕微分光法により観察するために低密度化すると量子ドットサイズが大きくなるとともに、量子もつれ光子対発生に必要な形状の面内の対称性が低下しやすいことが明らかになっていた。今回我々は、キャップ前の量子ドットを熱処理するとInAsが流れ出すことにより一部の量子ドットが消失する現象を利用して、低密度、小サイズ、高対称性を兼ね備えた<s>の</s>量子ドットを再現性良く自己形成することに成功したので報告する。