[17a-W8E_307-1~10] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

11:15 〜 11:30

[17a-W8E_307-8] Lateral ART法及び選択再成長法によるSOI (001)基板上InP/InGaAsPダブルヘテロ構造LEDの作製

〇本間 寛弥¹、藤井 拓郎¹、杉山 弘樹¹、開 達郎¹、佐藤 具就¹、松尾 慎治¹ (1.NTT 先デ研)

キーワード：

Si上III-V族半導体直接成長、選択成長、LED

Lateral ART法と選択再成長法を組み合わせ、SOI (001)基板上にInP系材料を用いた200 µm長のp-i-n LEDをモノリシック集積した。作製した素子は良好なダイオード特性と均一な赤外発光を示し、Siフォトニクス回路へのIII–V系オンチップ光源集積に有望である。