[17a-W8E_307-1~10] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

11:30 〜 11:45

[17a-W8E_307-9] Ⅲ-Ⅴ族熱輻射発電デバイスの大面積化に向けたGaSb/GaPヘテロエピタキシー

〇(M1C)川崎 天聖¹、嵯峨根 慶人¹、長澤 一輝¹、久野 倭¹、大田 遵平¹、山根 啓輔¹ (1.豊橋技術科学大学)

キーワード：

分子線エピタキシー法、狭バンドギャップ、熱輻射

熱輻射発電の大面積化に向け、脆いGaSb基板に代わりGaP基板上へのGaSb成長を検討した 。MBE法で条件を最適化した結果、XRD半値幅と表面平坦性の観点から成長温度530℃、Sb/Ga供給比4を現段階の最適条件とした 。この条件下でn-GaP基板上にp-GaSbを積層したヘテロpn接合を作製したところ、PL測定でGaSb由来の発光を確認し、I-V特性で明確な整流性を得た 。これにより、デバイスの試作に成功した 。