[17a-W9_324-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

11:45 〜 12:00

[17a-W9_324-10] Ga添加SnO₂を用いた高透過ショットキー接合位置検出センサ

〇小野 大和¹、田中 友皓¹、梶井 博武²、三河 通男¹、竹内 柊矢¹、藤田 鈴香¹、村上 浩¹、田中 久仁彦³、金井 綾香³、森宗 太一郎¹ (1.香川高等専門学校、2.大阪大学、3.長岡技術科学大学)

キーワード：

光デバイス

本研究では，可視光を透過しつつ320～370nmの紫外線に感度を有する透明光位置検出センサを開発した．酸化物半導体と透明電極を用いて可視光平均透過率51%を達成した．紫外照射位置に応じた電流変化を確認し，直線性誤差は14%であった．