2026年第73回応用物理学会春季学術講演会

2026年第73回応用物理学会春季学術講演会

セッション詳細

一般セッション(口頭講演)21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」：21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[17a-W9_324-1~10]21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2026年3月17日(火) 9:15 〜 12:00

W9_324 (西9号館)

9:15 〜 9:30英語発表

[17a-W9_324-1][The 59th Young Scientist Presentation Award Speech] Enhanced Argon Plasma Treatment Strategies for Contact-Controlled Rare-Metal-Free Oxide Semiconductor Transistors

〇Mark Denusta Ilasin¹, Juan Paolo Soria Bermundo¹, Pongsakorn Sihapitak¹, Candell Grace Paredes Quino¹, Magdaleno Jr. Rigodon Vasquez², Senku Tanaka³, Hidenori Kawanishi¹, Yukiharu Uraoka¹ (1.NAIST, 2.UPD, 3.Kindai Univ.)

9:30 〜 9:45英語発表

[17a-W9_324-2]Effectiveness of gate dielectric AlO_x interlayer on electrical characteristics improvement in ultrathin InO_x FETs

〇CHIATSONG CHEN¹, Kasidit Toprasertpong², Toshifumi Irisawa¹, Wen-Hsin Chang¹, Shinji Migita¹, Yukinori Morita¹, Hiroyuki Ota¹, Tatsuro Maeda¹ (1.AIST, 2.the Univ. of Tokyo)

9:45 〜 10:00

[17a-W9_324-3]PEALD-AlO_x絶縁膜を用いた薄膜InO_x FETsにおける熱安定性の向上

〇(M1)石山和樹^1,2、陳家驄²、入沢寿史²、トープラサートポンカシディット³、前田辰郎² (1.日大理工、2.産総研、3.東京大学)

10:00 〜 10:15

[17a-W9_324-4]Mist-CVD法による酸化物薄膜の作製とトランジスタの性能向上について

〇江波戸慶吾¹、清水耕作¹ (1.日大)

10:15 〜 10:30

[17a-W9_324-5]フレキシブル化に向けたポストプロセスがNiO系可視光透過型薄膜トランジスタに与える影響

〇松林芳樹¹、服部汰星¹、小出祐菜¹、杉山睦^1,2 (1.東理大　創域理工、2.東理大　総研)

10:45 〜 11:00

[17a-W9_324-6]Zn供給成膜によるGa:ZnO (GZO) 膜のキャリア密度と移動度の向上機構

〇山田容士¹、山田祐美加^2,1、舩木修平¹ (1.島根大総理工、2.コベルコ科研)

11:00 〜 11:15

[17a-W9_324-7]水熱合成法およびスパッタ法により作製したZnGa₂O₄多結晶薄膜のホール効果による電気特性の評価・比較

〇加瀬伶也¹、飯塚知己¹、小熊佑弥¹、山本和貫²、石井聡¹ (1.東京電機大、2.千葉大院工)

11:15 〜 11:30

[17a-W9_324-8]ミストCVD法による銅薄膜の導電性変調と溶液構造

〇岡田達樹¹、大橋亮介¹、水本圭¹、Htet Su WAI¹、Mondal Abhay Kumar¹、川原村敏幸^1,2 (1.高知工科大学、2.総研)

11:30 〜 11:45

[17a-W9_324-9]ミストCVD法によるグラフェン上への転写可能な大面積酸化物ゲート絶縁膜形成

山村駿輔¹、アブドゥルクドゥス²、〇毛利真一郎¹ (1.立命館大理工、2.立命館大R-GIRO)

11:45 〜 12:00

[17a-W9_324-10]Ga添加SnO₂を用いた高透過ショットキー接合位置検出センサ

〇小野大和¹、田中友皓¹、梶井博武²、三河通男¹、竹内柊矢¹、藤田鈴香¹、村上浩¹、田中久仁彦³、金井綾香³、森宗太一郎¹ (1.香川高等専門学校、2.大阪大学、3.長岡技術科学大学)

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