[17a-W9_324-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

9:45 〜 10:00

[17a-W9_324-3] PEALD-AlO_x絶縁膜を用いた薄膜InO_x FETsにおける熱安定性の向上

〇(M1)石山 和樹^1,2、陳 家驄²、入沢 寿史²、トープラサートポン カシディット³、前田 辰郎² (1.日大理工、2.産総研、3.東京大学)

キーワード：

酸化物半導体、TFT、酸化インジウム