[17a-W9_324-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

10:00 〜 10:15

[17a-W9_324-4] Mist-CVD法による酸化物薄膜の作製とトランジスタの性能向上について

〇江波戸 慶吾¹、清水 耕作¹ (1.日大)

キーワード：

Mist-CVD法

半導体デバイス作製においてコスト削減は大きな課題である。中でも薄膜作製プロセスは高い比率を占めている。Mist-CVDはスパッタリングやプラズマCVDに比べて安全かつ低コスト・低環境負荷といった利点がある^{[1], [2]}。今回は、成膜後にオゾン処理をし原子状酸素処理をおこないのTFT特性、CPM法を用いてバルク内のバンドギャップ内準位ついて報告する。