[17a-W9_324-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

11:15 〜 11:30

[17a-W9_324-8] ミストCVD法による銅薄膜の導電性変調と溶液構造

〇岡田 達樹¹、大橋 亮介¹、水本 圭¹、Htet Su WAI¹、Mondal Abhay Kumar¹、川原村 敏幸^1,2 (1.高知工科大学、2.総研)

キーワード：

Cu、ミストCVD