講演情報
[17a-W9_324-9]ミストCVD法によるグラフェン上への転写可能な大面積酸化物ゲート絶縁膜形成
山村 駿輔1、アブドゥル クドゥス2、〇毛利 真一郎1 (1.立命館大理工、2.立命館大R-GIRO)
キーワード：
ファンデルワールスエピタキシー、酸化物ゲート絶縁膜、グラフェン
我々は、ミストCVD法でグラフェン上にAlOxなどの酸化物絶縁膜を5mm角スケールで成膜し、それを異種基板上に転写する技術を見出した。Cu(111)膜付きサファイア基板上に成膜されたグラフェンを成長基板に使い、350℃で成膜を行うことが重要である。酸化物絶縁膜成長後に銅をエッチングすることで、大面積薄膜の剥離転写が可能となった。講演では、転写技術の詳細とともに、薄膜の特性についても紹介する。