[17p-M_103-1~12] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

14:00 〜 14:15

[17p-M_103-1] CF₃CH₂CF₃分子の電子物性と解離

〇林 俊雄¹、石川 健治¹、関根 誠¹、堀 勝¹ (1.名古屋大学)

キーワード：

CF3CH2CF3、エッチングガス、一次解離過程

CF₃CH₂CF₃の電子物性を計算化学を用いて調べた。基底状態の電子構造はC_2vの対称性を持つ安定な化合物で有るが、イオン化状態や励起状態で端部のCF₃やFが解離しやすい化合物で有ることが分かった。電子付着では3SRydberg stateへの垂直電子付着でCF₃CH₂CF₂^－ + Fの解離が起り、F^－の解離が起るのは主として3S軌道の反結合性軌道で構成される高いRydberg stateへの電子付着で起ることが分かった。