[17p-M_103-1~12] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

15:00 〜 15:15奨励賞エントリー

[17p-M_103-5] 水素化アモルファスカーボン膜の真性応力生成メカニズムのデータ駆動型解析

〇安藤 悠介¹、Li Hu²、Zhao Jianping²、松隈 正明³、Ventzek Peter²、石川 健治⁴ (1.名大工、2.Tokyo Electron America Inc.、3.東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ(株)、4.名大低温プラズマ)

キーワード：

アモルファスカーボン、応力、密度汎関数法

本研究では、水素化アモルファスカーボン膜の真性応力生成メカニズムについて、生成要因となる幾何学的パラメータをデータ駆動型解析を用いて定量的に特定することで明らかにした。カーボン膜構造と応力の関係を考察するために第一原理計算に基づく分子動力学法を用いてアモルファスカーボンのモデリングを実施した。