講演情報
[17p-M_103-8]WO3/SiCのマイクロ波励起水素プラズマ照射によるWSi/SiO2層の形成
〇今井 賢人1、小倉 大知1、室屋 颯太1、佐藤 哲也1、本山 慎一2 (1.山梨大工、2.ミヤ通信工業)
キーワード：
マイクロ波、シリサイド化、水素プラズマ
SiC は次世代パワーデバイス材料として期待されるが、イオン注入後活性化には 1500～2000℃ の高温処理が必要である。本研究では、水素再結合熱とマイクロ波加熱を併用した加熱基礎実験を行った。WO₃ 薄膜を蒸着した Si および SiC 基板に水素マイクロ波励起プラズマを照射した結果、1～2 分で 700～800℃ に到達し、WO₃ の還元と同時に WSi/SiO₂ 構造が形成されることを XPS 等により確認した。