[17p-M_B07-1~10] 半導体評価技術の最前線

13:30 〜 13:55

[17p-M_B07-1] 走査型非線形誘電率顕微鏡を用いた半導体材料・素子の評価
―MOS界面解析・原子層半導体のキャリア分布観測を中心としてー

〇長 康雄¹、山末 耕平² (1.東北大未来科学、2.東北大通研)

キーワード：

走査型非線形誘電率顕微鏡、原子層半導体、MOS界面

走査型非線形誘電率顕微鏡法は強誘電分極分布を可視化する顕微鏡として開発された．誘電体の非線形誘電現象は極めて小さく，それを検出するためSNDMは開発当初から10^-22F/√Hzという世界最高の静電容量変化を検出できる感度を持っており半導体計測にも極めて有効である．
講演では簡単に計測原理を述べた後MOS界面解析・原子層半導体のキャリア分布観測を中心として最新の研究成果について解説を行う．