セッション詳細

[17p-M_B07-1~10]半導体評価技術の最前線

2026年3月17日(火) 13:30 〜 17:40
M_B07 (本館)

[17p-M_B07-2]非接触原子間力顕微鏡による半導体界面の個々のトラップ準位の評価

小野 孝浩1、大橋 瑞輝1、重野 智宏1、安井 勇気1、内田 雄太郎1、喜多 浩之1、〇杉本 宜昭1 (1.東大新領域)

[17p-M_B07-3]MOSFETの欠陥起源同定に向けた電流検出ESR分光と新しいテクニック

〇梅田 享英1 (1.筑波大数物)

[17p-M_B07-4]TEM観察による先端半導体デバイスおよび材料の原子スケール解析

〇五十嵐 信行1 (1.名大未来研)

[17p-M_B07-5]半導体プロセス・デバイス動作下のその場TEM観察―固相結晶化への適用例―

〇手面 学1、浅野 孝典1、高石 理一郎1、富田 充裕1、齋藤 真澄1、田中 洋毅1 (1.キオクシア㈱先端研)

[17p-M_B07-6]微細デバイスにおける動作時温度計測技術の進展

〇内田 建1 (1.東大工)

[17p-M_B07-7]昇華乾燥における昇華性薄膜の物性とパターン倒壊率の関係

〇福江 紘幸1、塚原 隆太1、況 晨1、堀 惣介1、鳥飼 直也2 (1.SCREENセミコン、2.三重大院工)

[17p-M_B07-8]4D-XPS データ解析の高度化と深層学習・統計的統合解析による深さ方向分布の精密復元

〇豊田 智史1、安藤 昌輝2、小椋 厚志2,3、木下 豊彦1、町田 雅武1 (1.バキュームプロダクツ、2.明治大学、3.MREL)

[17p-M_B07-9]量⼦ビームホログラフィを⽤いたドーパント原⼦配列解析

〇松下 智裕1 (1.奈良先端大)

[17p-M_B07-10]半導体デバイスをターゲットとしたイオンビームによる表面分析

〇鮫島 純一郎1、中田 由彦1、須田 泰市1、林 裕美1、小坂 志乃1、齋藤 正裕1、小北 哲也1、山元 隆志1 (1.東レリサーチセンター)