講演情報
[17p-M_B07-3]MOSFETの欠陥起源同定に向けた電流検出ESR分光と新しいテクニック
〇梅田 享英1 (1.筑波大数物)
キーワード：
半導体デバイス、プロセス誘起欠陥、電子スピン共鳴分光
電流検出型の電子スピン共鳴分光（EDMR分光法）の能力や可能性について議論する。ベースとなる電子スピン共鳴分光法は半導体の点欠陥同定に対して最も威力を発揮する分光法である。その特徴をそのままに電流検出方式にすることで半導体デバイス内部のプロセス誘起欠陥の起源同定が可能になる。シリコンや炭化ケイ素のMOS型電界効果トランジスタ（MOSFET）のプロセス誘起欠陥の同定例を複数ご紹介する。