[17p-PA5-1~11] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

[17p-PA5-3] 低温成長した希薄窒化InGaAsN量子ドットにおけるスピン偏極増幅に関わる欠陥密度の推定

〇森田 彩乃¹、峯山 大輝¹、高山 純一¹、村山 明宏¹、樋浦 諭志¹ (1.北大院情報科学)

キーワード：

量子ドット、希薄窒化物半導体、フォトルミネッセンス