セッション詳細
[17p-PA5-1~11]13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス
2026年3月17日(火) 16:30 〜 18:00
PA5 (アリーナ (1F))
[17p-PA5-1]真空連続プロセスを用いたMFR法による量子ドットの発光特性
〇末次 大輝1、山本 伸一1 (1.龍谷大先端理工)
[17p-PA5-2]カドミウムフリー青色量子ドットの発光特性および波長制御
〇中神 丞雄1、末次 大輝1、山本 伸一1 (1.龍谷大先端理工)
[17p-PA5-3]低温成長した希薄窒化InGaAsN量子ドットにおけるスピン偏極増幅に関わる欠陥密度の推定
〇森田 彩乃1、峯山 大輝1、高山 純一1、村山 明宏1、樋浦 諭志1 (1.北大院情報科学)
[17p-PA5-4]InAs/InAsSb面内超高密度量子ドット層の電気伝導特性
〇成子 慶洋1、甲斐 涼雅1、海津 利行2,1、宮下 直也1,2、山口 浩一1,2 (1.電気通信大 基盤理工、2.電気通信大 量子未来創生デバイス開発センター)
[17p-PA5-5]ロックイン検出を用いたデュアルコム非同期光サンプリングによる量子ドットダイナミクスの高速測定
〇(B)福原 博樹1,2、阿讃坊 元1,2、柴田 理来1、渡邉 紳一1,2、早瀬 潤子1,2 (1.慶大理工、2.慶大CSRN)
[17p-PA5-6]ハロゲン化アルキル添加剤を用いたSnTeナノ粒子の形状制御
〇(B)大津 絃1、小峰 啓史1、井上 大1 (1.茨城大工)
[17p-PA5-7]Si–Snナノコンポジットの作製
〇(M1)加藤 颯1、原田 裕生1、金 蓮花1、ジェローズ ベルナール2 (1.山梨大工、2.名古屋大工)
[17p-PA5-8]Si/CaF2四重障壁共鳴トンネル構造を用いた不揮発性抵抗変化メモリの立ち上がり電圧制御
〇齋藤 恵多1、服部 堅1、猪狩 秀1、小林 隆弘1、山下 怜央1、渡辺 正裕1 (1.東京科学大)
[17p-PA5-9]イオンビームエピタキシー法における加速電圧最適化による
Si/CaF2二重障壁共鳴トンネルダイオードのリーク電流低減
〇服部 堅1、斎藤 恵多1、猪狩 秀1、小林 隆弘1、石川 友志1、渡辺 正裕1 (1.東京科学大)
[17p-PA5-10]Mobility Enhancement in Strained Germanium Quantum Wells via In-Situ Al2O3 Passivation
〇Tanbhir Hasan1, Kentarou Sawano1 (1.Tokyo City Univ.)
[17p-PA5-11]導波路型フォトニックデバイスに向けた希土類ストリップ装荷型光導波路の応用検討
〇木村 恵太1、藤巻 隆之介1、徐 学俊2、俵 毅彦1 (1.日本大、2.NTT物性研)
