[17p-PA5-1~11] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

[17p-PA5-4] InAs/InAsSb面内超高密度量子ドット層の電気伝導特性

〇成子 慶洋¹、甲斐 涼雅¹、海津 利行^2,1、宮下 直也^1,2、山口 浩一^1,2 (1.電気通信大 基盤理工、2.電気通信大　量子未来創生デバイス開発センター)

キーワード：

半導体、量子ドット、電気伝導