講演情報
[17p-W2_401-1][大分類15「結晶工学」分科内招待講演] Naフラックス法で作製したGaNを種結晶とした酸化物気相成長
〇今西 正幸1、宇佐美 茂佳1、森 勇介1 (1.阪大院工)
キーワード：
窒化ガリウム、酸化物気相成長法、Naフラックス法
Naフラックス法で作製したGaNを種結晶として、酸化物気相成長（OVPE）による成長を実施した。従来は高温成長時に種結晶中のインクルージョン破裂が問題であったが、Flux-Film-Coated（FFC）法によりインクルージョンを低減したGaN結晶を用いることで、1200℃以上でも破裂なく成長が可能となった。転位密度と一致することが報告されている表面のピット密度は、2.2×10⁴ cm⁻²であったことから、種結晶より転位密度が低減していることが示唆された。