[17p-W2_401-1~17] 15.4 III-V族窒化物結晶

16:30 〜 16:45

[17p-W2_401-11] RF-MBE選択成長法による-c面GaN上のGaNナノワイヤの作製

〇彦坂 康生^1,2、関口 雅也^1,2、本久 順一^1,2 (1.北大情、2.量集センター)

キーワード：

窒化ガリウム、ナノワイヤ、結晶成長