講演情報
[17p-W2_401-12]RF-MBE選択成長法により形成したGaNナノワイヤを用いたショットキーバリアダイオードの作製と評価
〇関口 雅也1、彦坂 康生1、本久 順一1 (1.北大量集センター)
キーワード：
窒化ガリウム、エピタキシャル成長、ショットキーバリアダイオード
RF-MBE選択成長法により形成したGaNナノワイヤを用いてSBDを作製した。比較のため、RF-MBE成長したプレーナGaN、さらに一般的なn-GaNエピタキシャル試料に対してもSBDを作製し、I-V特性の比較を行った。