講演情報
[17p-W2_401-3]MOVPE成長条件がGaN中カーボン濃度に与える影響について
〇大川 和宏1、三宅 秀人1 (1.三重大工)
キーワード：
窒化物半導体、MOVPE、炭素
有機金属気相エピタキシー(MOVPE)成長条件がGaN薄膜中のカーボン濃度に与える影響を報告する。実験とシミュレーションにより、主なカーボン源として有機金属ガス原料由来のメチル基（CH3）であることが分かった。V/III比を変化させた場合のカーボン取込み量はシミュレーションと実験で良い一致を示した。すなわちアンモニアによるメチル基とメタン分子の酸化還元反応が影響するためである。講演ではGaN成長温度の影響についても説明する。