講演情報
[17p-W2_401-5]MOVPE法によるN極性面AlNテンプレート上へのN極性面GaNの結晶成長
〇(M1)藤原 魁土1、倉井 聡1、岡田 成仁1、山田 陽一1 (1.山口大院創成科学)
キーワード：
MOVPE、N極性面GaN、N極性面AlN
MOVPE法を用いて、N極性AlNテンプレート上へのN極性GaN成長を検討した。基板オフ角0.2°および0.8°のc面サファイア基板を用い、表面形態や結晶性への影響を評価した。その結果、KOH選択エッチングにより極性反転のない安定したN極性GaN成長が確認された。オフ角0.2°では平坦で低粗さな表面が得られ、0.8°ではステップバンチングと粗化が顕著であった。基板オフ角が表面形態および結晶性に大きく影響することが明らかとなった。