[17p-W2_401-1~17] 15.4 III-V族窒化物結晶

15:00 〜 15:15

[17p-W2_401-6] 高濃度 n 型 GaN 金属接触における量子注入下限抵抗率

〇上野 耕平¹、岡部 耕平¹、内藤 愛子¹、藤岡 洋¹ (1.東大生研)

キーワード：

コンタクト抵抗、GaN

従来モデルではワイドギャップ半導体は低接触抵抗が困難とされたが、我々は超高濃度GeドープGaNでρ_Ｃ＝5.8×10^-9Ωｃｍ²という量子注入極限に近い値を実現した。無次元化解析により、ＧａＮは高E₀₀/k_BT領域でplateau挙動を示し、抵抗支配因子が空乏層トンネルから界面量子注入極限へ移行する可能性を示した。