[17p-W8E_101-1~18] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

13:30 〜 13:45

[17p-W8E_101-1] 高抵抗AlGaNバッファ上N極性GaNチャネルHEMTの電気特性

〇星 拓也¹、吉屋 佑樹¹、杉山 弘樹¹、中島 史人¹ (1.NTT(株))

キーワード：

N極性GaNチャネルHEMT、4インチC面4H-SiC基板、高抵抗AlGaNバッファ