2026年第73回応用物理学会春季学術講演会
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セッション詳細

一般セッション(口頭講演)13 半導体：13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[17p-W8E_101-1~18]13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

2026年3月17日(火) 13:30 〜 18:30
W8E_101 (西8号館)
13:30 〜 13:45

[17p-W8E_101-1]高抵抗AlGaNバッファ上N極性GaNチャネルHEMTの電気特性

〇星 拓也1、吉屋 佑樹1、杉山 弘樹1、中島 史人1 (1.NTT(株))
13:45 〜 14:00

[17p-W8E_101-2]高Al組成厚膜AlGaNバッファを有する単純なN極性HEMT構造

〇星 拓也1、吉屋 佑樹1、佐々木 太郎1、杉山 弘樹1、中島 史人1 (1.NTT(株))
14:00 〜 14:15

[17p-W8E_101-3]高抵抗CドープGaNバッファ層を有するN極性GaN HEMT (2)

〇吉屋 佑樹1、星 拓也1、佐々木 太郎1、杉山 弘樹1、中島 史人1 (1.NTT先デ研)
14:15 〜 14:30

[17p-W8E_101-4]N極性面GaN/AlN HEMTにおける表面パッシベーションの影響と
電気特性評価

〇(M1)平田 靖晃1、仁ノ木 亮祐1、Zazuli Aina Hiyama1、北村 優弥1、山中 郁哉1、林内 天1、倉井 聡1、岡田 成仁1、山田 陽一1 (1.山口院・創成科学)
14:30 〜 14:45

[17p-W8E_101-5]Ga極性成長GaNの裏面を用いたN極性GaN/AlGaN HEMTの作製手法及び電気的特性

〇赤川 理音1、山田 敦史3、藤元 直樹2、谷口 淳3、美濃浦 優一3、古澤 優太2、塚本 涼子2、Matys Matys3、新井 学2、須田 淳2、本田 善央2、田中 敦之2、多木 俊裕3、中村 哲一3、天野 浩2 (1.名大院工、2.名大IMaSS、3.富士通株式会社)
14:45 〜 15:00奨励賞エントリー

[17p-W8E_101-6]GD間膜厚分布を持つHigh-k膜によるGaN HEMT

〇吉田 樹1、宮本 恭幸1 (1.科学大)
15:15 〜 15:30奨励賞エントリー

[17p-W8E_101-7]n+キャップ層を有するワイドリセス構造AlGaN/GaN HEMTの二層伝送線路モデルによるキャップ層-チャネル間界面抵抗の抽出

〇藤本 拓也1、安藤 裕二1,2、高橋 英匡1、牧迫 隆太郎1、分島 彰男3、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.熊本大)
15:30 〜 15:45奨励賞エントリー

[17p-W8E_101-8]AlN系分極ドープFETの高周波電力増幅動作

〇川崎 晟也1、廣木 正伸1、平間 一行1、谷保 芳孝1 (1.NTT物性研)
15:45 〜 16:00奨励賞エントリー

[17p-W8E_101-9]分布型分極ドーピングの活用による超低オン抵抗AlN系ショットキーバリアダイオードの実証

〇佐々木 一晴1、廣⽊ 正伸2、江端 一晃2、平間 ⼀⾏2、⾕保 芳孝2、前田 拓也1 (1.東大工、2.NTT物性研)
16:00 〜 16:15

[17p-W8E_101-10]分布型分極ドーピングされた組成傾斜 AlGaN 層における一次元 Friedel 振動の観測

〇前田 拓也1、佐々木 一晴1、廣木 正伸2、江端 一晃2、平間 一行2、谷保 芳孝2 (1.東大院工、2.NTT物性科学基礎研究所)
16:15 〜 16:30奨励賞エントリー

[17p-W8E_101-11]AlGaN/AlN/GaNおよびScAlN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ接合の2DEGにおける Shubnikov–de Haas振動の解析から得られる量子緩和時間と電子輸送特性に関する考察

〇若本 裕介1、久保田 航瑛1、奥田 朋也3、河原 孝彦2、吉田 成輝2、牧山 剛三2、中田 健2、小林 篤3、前田 拓也1 (1.東大工、2.住友電気工業株式会社、3.東京理科大学)
16:30 〜 16:45奨励賞エントリー

[17p-W8E_101-12]AlN基板上シュードモルフィック AlN/GaN/AlN HEMTにおけるバイアスストレス印加による閾値の負方向シフト

〇森 臣能1、李 太起2,3、吉川 陽2,3、杉山 聖2,3、新井 学3、安藤 裕二1,3、須田 淳1,3、天野 浩1,3 (1.名大院工、2.旭化成、3.名大IMass)
17:00 〜 17:15

[17p-W8E_101-13]GaN 基板上に作製したHEMT の深いトラップ準位の電気的評価

〇松田 喬1、松浦 努1、林 宏暁1 (1.三菱電機(株)先端総研)
17:15 〜 17:30

[17p-W8E_101-14]GaN-HEMT における電流コラプスのパンチスルー電圧依存性

〇永井 優心1、杉山 亨1、劉 一堯1、ファルク ウマル1、吉岡 啓1 (1.東芝デバイス＆ストレージ)
17:30 〜 17:45

[17p-W8E_101-15]AlGaNキャップ層によるGaN-HEMTの電流コラプス現象の抑制

〇西村 宗悟1、清原 一樹1、三浦 孝祐1、斉藤 貴大1、上田 晋太郎1、吉岡 啓1 (1.東芝デバイス＆ストレージ)
17:45 〜 18:00

[17p-W8E_101-16]擬似的変調ドープ構造によるGaN系ヘテロ接合の移動度の向上

〇児玉 和樹1、盧 志豪1、翁 祐晨1、林 垣1、陳 昱豪1、上田 大助1、張 翼1 (1.陽明交通大)
18:00 〜 18:15英語発表

[17p-W8E_101-17]High-Gain and Low-Noise InAlGaN/GaN HEMTs on Si for Ka-Band Communication Applications

〇(PC)Weng YouChen1, Chee-How Lu1, Hung-Wei Yu1, Chun-Hao Chen1, Hao-Chung Kuo2, edward-Yi Chang1 (1.NYCU, 2.Hon Hai)
18:15 〜 18:30

[17p-W8E_101-18]光電気化学(PEC)反応を利用したリセスゲートGaN-HEMTに適した加工条件の導出

〇松浦 努1、滝口 雄貴1、吉嗣 晃治1、林 宏暁1、柳生 栄治1、佐藤 威友2、長永 隆志1 (1.三菱電機株式会社、2.北大量集センター)
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