[17p-W8E_101-1~18] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

16:15 〜 16:30奨励賞エントリー

[17p-W8E_101-11] AlGaN/AlN/GaNおよびScAlN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ接合の2DEGにおける Shubnikov–de Haas振動の解析から得られる量子緩和時間と電子輸送特性に関する考察

〇若本 裕介¹、久保田 航瑛¹、奥田 朋也³、河原 孝彦²、吉田 成輝²、牧山 剛三²、中田 健²、小林 篤³、前田 拓也¹ (1.東大工、2.住友電気工業株式会社、3.東京理科大学)

キーワード：

SdH振動、スパッタ法、低温強磁場測定

ScAlNは， GaN HEMTの新規バリア層材料として期待されている．これまで我々は，スパッタ法を用いてAlGaN/AlN/GaN上にScAlNをエピタキシャル成長させることに成功し，その2DEG特性をHall効果測定やC-V特性に加え，低温強磁場測定によるShubnikov-de Haas (SdH)振動の特性評価により明らかにしてきた．本研究では，再成長前AlGaN/AlN/GaNヘテロ接合における2DEGについても低温強磁場測定を行い，量子輸送特性の比較からそれら2DEGにおける散乱機構の詳細な解明を目指したので報告する．