講演情報
[17p-W8E_101-13]GaN 基板上に作製したHEMT の深いトラップ準位の電気的評価
〇松田 喬1、松浦 努1、林 宏暁1 (1.三菱電機(株)先端総研)
キーワード：
GaN HEMT、深いトラップ準位
GaN HEMTの特性や、信頼性の向上には結晶品質の向上が不可欠であるが、RF デバイスに関しGaN 自立基板の優位性を検証した報告は少ない。本報告では、SiC 基板とGaN基板に作製したデバイスを使い、出力の過渡変化や信号ひずみに影響を与える深いトラップ準位の違いを評価した。