[17p-W8E_101-1~18] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

17:15 〜 17:30

[17p-W8E_101-14] GaN-HEMT における電流コラプスのパンチスルー電圧依存性

〇永井 優心¹、杉山 亨¹、劉 一堯¹、ファルク ウマル¹、吉岡 啓¹ (1.東芝デバイス＆ストレージ)

キーワード：

窒化ガリウム、GaN-HEMT、電流コラプス現象

GaN-HEMT は高効率化・小型化に寄与する次世代パワーデバイスとして期待されているが、電流コラプス現象によるオン抵抗変動等の信頼性上の課題を有する。電流コラプス現象はデバイス内部の高電界によって加速された電子が、絶縁膜-半導体界面や結晶中の深い準位に捕獲されることで生じるが、定格電圧近傍まで電圧が印加された状態ではドレイン電極端部の電界集中が特に問題になると考えられる。本研究では、ドレイン電極端部の電界集中の指標として、空乏層がドレイン電極端に到達するドレイン-ソース間電圧(パンチスルー電圧V_pt)に着目し、電流コラプス現象との関係性を調査し、これを改善した結果を示す。