[17p-W8E_101-1~18] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

17:30 〜 17:45

[17p-W8E_101-15] AlGaNキャップ層によるGaN-HEMTの電流コラプス現象の抑制

〇西村 宗悟¹、清原 一樹¹、三浦 孝祐¹、斉藤 貴大¹、上田 晋太郎¹、吉岡 啓¹ (1.東芝デバイス＆ストレージ)

キーワード：

パワーデバイス、GaN HEMT、電流コラプス

GaN-HEMTには、高電圧印加下での電界集中により、絶縁膜やエピ層の内部や界面で電子がトラップされ、オン抵抗が高くなる電流コラプス現象という課題がある。今回、我々は電流コラプス現象を抑制するために、AlGaN/GaN構造におけるAlGaNバリア層に注目し、その表面側にAl組成を高くした薄いAlGaNキャップ層を有するGaN HEMTデバイスを作製し、評価した結果について報告する。