[17p-W8E_101-1~18] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

13:45 〜 14:00

[17p-W8E_101-2] 高Al組成厚膜AlGaNバッファを有する単純なN極性HEMT構造

〇星 拓也¹、吉屋 佑樹¹、佐々木 太郎¹、杉山 弘樹¹、中島 史人¹ (1.NTT(株))

キーワード：

N極性GaNチャネルHEMT、C面4H-SiC基板、厚膜AlGaNバッファ