[17p-W8E_101-1~18] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

14:00 〜 14:15

[17p-W8E_101-3] 高抵抗CドープGaNバッファ層を有するN極性GaN HEMT (2)

〇吉屋 佑樹¹、星 拓也¹、佐々木 太郎¹、杉山 弘樹¹、中島 史人¹ (1.NTT先デ研)

キーワード：

N極性GaN HEMT