[17p-W8E_101-1~18] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

14:15 〜 14:30

[17p-W8E_101-4] N極性面GaN/AlN HEMTにおける表面パッシベーションの影響と
電気特性評価

〇(M1)平田 靖晃¹、仁ノ木 亮祐¹、Zazuli Aina Hiyama¹、北村 優弥¹、山中 郁哉¹、林内 天¹、倉井 聡¹、岡田 成仁¹、山田 陽一¹ (1.山口院・創成科学)

キーワード：

N極性面GaN/AlN HEMT、表面パッシベーション

N極性面GaN/AlN HEMTは低接触抵抗が利点である一方、表面リーク電流が課題である。本研究ではSiO₂、SiON、SiNによる表面パッシベーションを施し電気特性を比較評価した。その結果、SiO₂はリーク電流を最も効果的に抑制し、On/Off比も最大となった。SiONでは一定の改善が見られたが、SiNではリーク電流が増加した。これより、SiO₂が有効なパッシベーション膜であることが示された。