[17p-W8E_101-1~18] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

14:30 〜 14:45

[17p-W8E_101-5] Ga極性成長GaNの裏面を用いたN極性GaN/AlGaN HEMTの作製手法及び電気的特性

〇赤川 理音¹、山田 敦史³、藤元 直樹²、谷口 淳³、美濃浦 優一³、古澤 優太²、塚本 涼子²、Matys Matys³、新井 学²、須田 淳²、本田 善央²、田中 敦之²、多木 俊裕³、中村 哲一³、天野 浩² (1.名大院工、2.名大IMaSS、3.富士通株式会社)

キーワード：

化合物半導体デバイス、デバイス作製プロセス、N極性GaN HEMT

Ga極性成長したGaNサンプルを用いて、基板側から研磨、ドライエッチングにより基板を除去し、 PECエッチングを用いた選択エッチングによってストップしたN極性面にHEMTデバイスを作製する新規手法を提案する。本手法を用いて作製したN極性HEMTではゲート電圧によるドレイン電流の明瞭な変調と電流飽和特性が確認され、最大で400mA/mmの出力を得た。