[17p-W8E_101-1~18] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

15:45 〜 16:00奨励賞エントリー

[17p-W8E_101-9] 分布型分極ドーピングの活用による超低オン抵抗AlN系ショットキーバリアダイオードの実証

〇佐々木 一晴¹、廣⽊ 正伸²、江端 一晃²、平間 ⼀⾏²、⾕保 芳孝²、前田 拓也¹ (1.東大工、2.NTT物性研)

キーワード：

分布型分極ドーピング、AlN、半導体

AlNは，非常に大きなバンドギャップ(6.0 eV)を有し，高い絶縁破壊電界が予想されるため，高温・高電圧環境における電子デバイスの材料として期待されている．一方，ドナー準位が深く室温でのイオン化率が低いことが本質的課題である．本研究では，不純物に頼らない分布型分極ドーピングをドリフト層に用いたAlN基板上AlN系SBDを試作し，既存のAlN系デバイスの中で最小のオン抵抗を実現したので報告する．