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14:15 〜 14:30奨励賞エントリー

[17p-W8E_307-4]GaAs 挿入層を導入したInP 基板上 InAs 量子ドットの光学異方性評価

〇(B)井上博輝¹、權晋寛¹、角田雅弘¹、松本敦²、山本直克²、赤羽浩一²、荒川泰彦¹ (1.東大ナノ量子、2.NICT)

キーワード：

量子ドット、量子ダッシュ、光学異方性

InP 基板上に形成された量子ドット(QD)はシリコン基板上おける材料として特に注目されている. 一方, InP基板上のInAs成長では, 量子ダッシュ(QDash)が同時に形成され, 光学的異方性が生じ, 光学特性に影響を与える. 今回我々は, InP 基板上において, 薄いGaAs挿入層を導入することでQDashの形成を抑制したQDを作製し, その光学的異方性を評価したので報告する.

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