[17p-W8E_307-1~10] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

14:30 〜 14:45

[17p-W8E_307-5] 大規模 AFM・PL データの統計解析による III-V 族量子ドットの形状と発光特性の相関

〇權 晋寛¹、角田 雅弘¹、荒川 泰彦¹ (1.東大ナノ量子)

キーワード：

量子ドット、原子間力顕微鏡、フォトルミネセンス

Stranski–Krastanov （S-K）成長モードにより形成される III-V 族半導体量子ドットは、原子間力顕微鏡（AFM）などを用いてその形状を直接観察でき、量子ドット形状の制御を通じて光学特性を調整可能であることが知られている。しかし従来研究の多くは、分析手法やデータ数の制約により、限られた数の量子ドットを対象とした解析にとどまっており、材料系全般に共通する包括的な相関関係の検討は十分に行われていなかった。本研究では、さまざな条件下で成長した1340 枚の試料に対して取得した AFM 像およびフォトルミネッセンス（PL）測定結果を基に、量子ドット形状と発光特性との相関関係について統計的に検討した。