セッション詳細
[17p-W9_323-1~10]CS.7 6.5 表面物理・真空、7.5 原子・分子線およびビーム関連新技術のコードシェアセッション
2026年3月17日(火) 13:30 〜 16:15
W9_323 (西9号館)
[17p-W9_323-1]O2解離吸着におけるSi表面電子状態の役割:Si(001)とSi(111)の比較
〇津田 泰孝1、岡部 優希2、WEN Hengyu2、吉越 章隆1、小川 修一2、髙桑 雄二3 (1.原子力機構、2.日本大学、3.東北大学)
[17p-W9_323-2]絶縁体の光電子分光の昇温による帯電補償
藤木 大輔1、住田 弘祐2、〇鈴木 哲1 (1.兵庫県立大、2.マツダ(株))
[17p-W9_323-3]デュアル振動子による原子状水素アニール中の有機薄膜のエッチング挙動の評価
〇部家 彰1、藤野 雄飛1、住友 弘二1 (1.兵庫県立大工)
[17p-W9_323-4]窒素ドープDLCの電気抵抗特性:N2濃度依存
〇(M1C)焉 域霖1、関 理志1、小川 修一1 (1.日大生産工)
[17p-W9_323-5]c-BN(111)B表面における酸素吸着構造の第一原理解析
〇劉 孫虎1、徳田 規夫1,2、松本 翼1,2、林 寛1,2、市川 公善1,2、小林 和樹1,2、猪熊 孝夫1,2 (1.金沢大院自然研、2.金沢大ダイヤモンド研究センター)
[17p-W9_323-6]硫酸イオンの層間挿入による酸化グラフェン膜におけるMoisture electric出力の向上
〇石部 貴史1、山本 敦大1、小林 英一2、中村 芳明1 (1.阪大院基礎工、2.九州シンクロトロン光研究センター)
[17p-W9_323-7]Seed-assisted epitaxy法を用いたSi基板上へのFeGeγ薄膜のエピタキシャル成長
〇寺田 吏1、石部 貴史1,2、成瀬 延康3、中村 芳明1,2 (1.阪大院基礎工、2.阪大OTRI、3.滋賀医科大)
[17p-W9_323-8]リフシッツ理論に基づく誘電率設計による濡れ性制御
〇深田 和宏1 (1.芝浦機械)
[17p-W9_323-9]ナノスケールのプラズモン励起における半古典的量子論
〇市川 昌和1 (1.東大院工)
[17p-W9_323-10]ルチルTiO2中の酸素空孔の凝集による太陽2光子吸収確率変化
〇加藤 弘一1、福谷 克之1 (1.東大生研)
