講演情報
[17p-W9_323-4]窒素ドープDLCの電気抵抗特性：N2濃度依存
〇(M1C)焉 域霖1、関 理志1、小川 修一1 (1.日大生産工)
キーワード：
ダイヤモンドライクカーボン、光電子制御プラズマCVD、ラマン分光
グラフェンFETのトップゲート絶縁膜候補として窒素ドープDLC（N-DLC）を光電子制御プラズマCVDで成膜し、N2流量とAr/CH4比が二端子抵抗とラマンD/Gに与える影響を評価した。抵抗はN2増加で低下し、高N2側で低下が緩やかになり、N2導入によりラマンピークは低波数側へシフトした。講演では膜厚とXPS窒素濃度の相関も報告する。