[17p-W9_323-1~10] CS.7 6.5 表面物理・真空、7.5 原子・分子線およびビーム関連新技術のコードシェアセッション

15:15 〜 15:30

[17p-W9_323-7] Seed-assisted epitaxy法を用いたSi基板上へのFeGe_γ薄膜のエピタキシャル成長

〇寺田 吏¹、石部 貴史^1,2、成瀬 延康³、中村 芳明^1,2 (1.阪大院基礎工、2.阪大OTRI、3.滋賀医科大)

キーワード：

熱電材料、エピタキシャル成長、低次元材料

室温で高い熱電性能を有するバルク材料としてFeGe_γが知られている。我々はFeGe_γの熱電薄膜への応用に着目した。本研究では、FeGe_γエピタキシャル薄膜の形成方法を開発したため、それを報告する。