講演情報
[17p-W9_324-10]高温アニール処理がGa2O3薄膜のトラップ準位に及ぼす影響のDLOS評価
〇(M2)森原 淳1、垣尾 宗1、Ferreyra A. Romualdo1、吉永 純也2,3、上村 崇史4、熊谷 義直2、東脇 正高1,4 (1.大阪公立大院工、2.東京農工大院工、3.大陽日酸、4.情通機構)
キーワード：
酸化ガリウム、高温アニール、欠陥準位
本研究ではMOCVD (010) 面, HVPE (001) 面上に成長したSiドープGa2O3薄膜への高温アニール処理 (PDA) の影響を調査するため、Deep-level optical spectroscopy (DLOS) 評価を行った。結果、PDA無しではミッドギャップより価電子帯側に存在するトラップ準位が検出されなかったのに対し、PDA有りでは成長法によらずEc – 2.9 eV付近に高密度トラップが存在した。この結果は成長法・面方位に関わらず、高温PDAによりEc － 2.9 eV付近に新たに高密度のトラップが生成されたことを示唆している。