講演情報
[17p-W9_324-11]選択成長を用いて作製したα-Ga2O3導波路における光導波の観測
〇豊島 慶大1、神野 莉衣奈1、木津 良祐3、岩本 敏1,2 (1.東大先端研、2.東大生研、3.産総研)
キーワード：
酸化ガリウム、超ワイドバンドギャップ半導体、選択成長
α-Ga2O3は超ワイドギャップ半導体で、sapphire基板上に成長可能なフォトニクス材料として注目されている。従来、ドライエッチング加工による導波路では側壁ラフネスに起因する光損失が課題であった。本研究では、Mist CVD法を持ちいた選択成長によるファセット面形成により導波路を作製した。作製した導波路に650 nmのレーザーを入射した結果、出射スポットが確認され、光伝搬が実証された。