講演情報
[17p-W9_324-2]オフ基板を用いた双晶フリー(100)配向β-Ga2O3薄膜のホモエピタキシャル成長
〇(D)是石 和樹1、吉松 公平1、大友 明1 (1.東京科学大)
キーワード：
酸化ガリウム、エピタキシャル成長、ステップフロー成長
β-Ga2O3は超ワイドバンドギャップ半導体として注目されているが，(100)基板上では双晶欠陥により高電子移動度化が困難である．本研究では(100)オフ基板を用いたホモエピタキシャル成長をパルスレーザ堆積法により行い，オフ角の増加により双晶密度が低減し，6°オフ基板で双晶フリー薄膜が得られることを示した．