講演情報
[17p-W9_324-5]プラズマ援用MBE成長した窒素ドープ(AlxGa1-x)2O3薄膜の構造特性評価
〇(M1)辻本 晃基1、上原 知起1、稲嶌 仁1、寺村 祐輔1、中岡 俊貴1、武田 翔真1、本田 智子1、東脇 正高1,2 (1.大阪公立大院工、2.情通機構)
キーワード：
酸化ガリウム、PAMBE、酸化アルミニウムガリウム
プラズマ援用分子線エピタキシー成長した(AlxGa1-x)2O3薄膜では、Al組成xが0.20程度以上では格子緩和に起因して薄膜の結晶性が低下することがよく知られている。そこで本研究では、Oよりもイオン半径の大きいNと、Gaよりもイオン半径の小さいAlを同時に導入することで格子歪みを緩和し、高い結晶性を維持したまま高Al組成Nドープ(AlxGa1-x)2O3薄膜を成長することができるか検証した。