[17p-W9_324-1~16] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

14:45 〜 15:00奨励賞エントリー

[17p-W9_324-6] rf窒素プラズマを用いたβ-Ga₂O₃へのアクセプタ導入とALD成長

〇阿多 翔大¹、古川 勝裕¹、相馬 永¹、吉村 武¹、藤村 紀文¹ (1.阪公立大工)

キーワード：

酸化ガリウム、ALD